Értékelés:
Jelenleg nincsenek olvasói vélemények. Az értékelés 2 olvasói szavazat alapján történt.
Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
A modern teljesítményelektronikai átalakítók középpontjában a teljesítmény félvezető kapcsolóeszközök állnak. A széles sávszélességű (WBG) félvezető eszközök, köztük a szilíciumkarbid és a gallium-nitrid megjelenése olyan teljesítményelektronikai átalakítókat ígér, amelyek nagyobb hatásfokkal, kisebb mérettel, kisebb tömeggel és alacsonyabb költségekkel rendelkeznek, mint a már bevált szilíciumalapú eszközöket használó átalakítók. A WBG-eszközök azonban új kihívások elé állítják az átalakítók tervezését, és gondosabb jellemzést igényelnek, különösen a gyors kapcsolási sebességük és a szigorúbb védelmi igényük miatt.
A Wide Bandgap Power Semiconductor Devices Characterization című könyv átfogó módszereket mutat be példákkal együtt a tápegységek e fontos osztályának jellemzésére. A bevezető után a könyv kitér az impulzusos statikus jellemzésre; a csomóponti kapacitás jellemzésére; a dinamikus jellemzés alapjaira; a kapu meghajtására a dinamikus jellemzéshez; az elrendezés kialakítására és a paraziták kezelésére; a védelem kialakítására a kettős impulzusos teszteléshez; a mérésre és adatfeldolgozásra a dinamikus jellemzéshez; a kereszthallás figyelembevételére; a háromfázisú rendszer hatására; és a topológiai megfontolásokra.
Ez a könyv a WBG-alapú teljesítményelektronikai termékek és technológiák fejlesztésében részt vevő kutatóknak és mérnököknek szól. Továbbá a WBG-eszközök fejlesztésével, a teljesítményelektronikai csomagolással, az elektromos mérések és műszerek technológiafejlesztésével foglalkozó végzős hallgatóknak és gyakorló mérnököknek is szól.
© Book1 Group - minden jog fenntartva.
Az oldal tartalma sem részben, sem egészben nem másolható és nem használható fel a tulajdonos írásos engedélye nélkül.
Utolsó módosítás időpontja: 2024.11.13 21:05 (GMT)