A szerves mezei hatású tranzisztorok határfelületi technikája

Eredeti címe:

Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors

Könyv tartalma:

Interface Engineering a szerves mezei hatású tranzisztorokban

A szerves mezőhatású tranzisztorok határfelületi tervezésének hatékony módszereinek fejlesztése terén elért eredmények szisztematikus összefoglalása a modellektől a kísérleti technikákig.

A „Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors” a szerves mező-hatás-tranzisztorok jelenlegi állását tárgyalja, és áttekinti a határfelületeken történő töltésszállítást, az eszköztervezési koncepciókat és az eszközgyártási eljárásokat, valamint kitekintést ad a jövőbeli optoelektronikai eszközök fejlesztésére.

A könyv a különböző félvezető/félvezető határfelületek előállítására általánosan alkalmazott módszerek áttekintésével és az e heterogén határfelületeken zajló töltéstranszport mechanizmusainak bemutatásával kezdődik. Ezután kitér a félvezető/elektróda határfelületeken végzett módosításokra, amelyek révén az elektródák munkafüggvénye hangolható, valamint feltárja a határfelületeken zajló töltésinjekciós mechanizmusokat.

Részletesen tárgyaljuk a félvezető/dielektromos határfelületen zajló töltéstranszport fizikáját. A könyv ismerteti a SAM-módosítás figyelemre méltó hatását a félvezetőfilm morfológiájára és ezáltal az elektromos teljesítményre. Különösen a határfelületen történő töltéscsapdázás/leválasztás technikájának értékes elemzéseit foglalja össze az új funkciók megvalósítása érdekében.

Végül az OFET-ek félvezető/környezet határfelületein fellépő érzékelési mechanizmusok és a szerves elektronika és a biológia összekapcsolására alkalmas egyedi érzékelési módszerek kerülnek tárgyalásra.

Az Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors című könyvben szereplő konkrét mintatémák a következők: Nem kovalens módosítási módszerek, töltésbevezető réteg az elektróda felületén, dielektromos felületi passziválási módszerek és kovalens módosítási módszerek Tömeges félvezetők töltéstranszport mechanizmusa, adalékanyagok hatása az anyagok nukleációjára és morfológiájára, oldószeradalékok és nukleációs szerek Nanokonfinement hatás, a teljesítmény fokozása félvezető heteroösszeköttetésekkel, síkbeli kétrétegű heteroszerkezet, ambipoláris töltésátviteli komplex és a heteroösszeköttetések szupramolekuláris elrendezése Dielektromos hatás az OFET-ekben, dielektromos módosítás a félvezető morfológia hangolásához, felületenergia-szabályozás, mikroszerkezet-tervezés, oldatnyírás, határfelületi csapdák kiküszöbölése és SAM/SiO2 dielektrikumok.

Az Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors című, a terület legújabb fejleményeit bemutató és a megbízható szerves elektronikai eszközök építéséhez szükséges új felismeréseket hangsúlyozó, időszerű forrásmű nélkülözhetetlen a kutatók, tudósok és más, a szerves elektronika, a nanoelektronika, a felülettudomány, a napelemek és az érzékelők területén dolgozó, a határfelületekkel foglalkozó szakemberek számára.