Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications
A SiC és GaN eszközök már jó ideje léteznek. Az első, a SiC és a kapcsolódó eszközökkel foglalkozó nemzetközi konferenciát, az „ICSCRM”-et 1987-ben tartották Washingtonban.
A SiC és GaN eszközök kereskedelmi forgalomba hozatala azonban csak nemrégiben történt meg. Anyagi tulajdonságai miatt a Si mint félvezető korlátokba ütközik a magas hőmérsékletű, nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás tartományokban. A SiC és GaN eszközök segítségével hatékonyabb teljesítményrendszerek valósíthatók meg.
A SiC- és GaN-ből készült eszközök máris hatással vannak különböző területekre, mivel képesek felülmúlni a Si-eszközök teljesítményét. Néhány példa erre a távközlés, az autóipar, az autóipar, a villamosenergia-ipar és a megújuló energiaipar.
A különböző országok által kitűzött szén-dioxid-kibocsátási célok elérése érdekében elkerülhetetlen ezen új technológiák alkalmazása. Ez a könyv megkísérli lefedni a széles sávhatárú félvezető technológiával kapcsolatos összes fontos aspektust, beleértve az általa támasztott új kihívásokat is.
Ez a könyv a SiC és GaN tápegységek izgalmas területein dolgozó végzős hallgatóknak, kutatóknak, mérnököknek és technológiai szakembereknek szól.