Advanced Ultra Low-Power Semiconductor Devices: Design and Applications
FEJLETT ULTRA ALACSONY FOGYASZTÁSÚ FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK
Ez a fontos új kötet, amelyet a terület szakértői csoportja írt és szerkesztett, széles körben foglalkozik a fém-oxid félvezető térhatású tranzisztorok tervezésével és alkalmazásaival.
Ez a kiemelkedő új kötet átfogó áttekintést nyújt a legmodernebb, ultraalacsony teljesítményű alkalmazásokra szabott félvezető alkatrészekről. Ezek az elektronikai eszközök alapját képező alkatrészek központi szerepet játszanak az elektronika fejlődésének alakításában. Az újonnan megjelenő, kis fogyasztású elektronikus eszközökre és azok alkalmazására összpontosítva olyan területeken, mint a vezeték nélküli kommunikáció, a bioérzékelés és az áramkörök, ez a könyv felbecsülhetetlen értékű forrást jelent e dinamikus terület megértéséhez.
A könyv a VLSI terület különböző aspektusait képviselő szakértőket és kutatókat tömörítve foglalkozik a fejlett kis fogyasztású eszközök által támasztott kihívásokkal. E közös munka célja a mérnöki innovációk előmozdítása és e technológiák gyakorlati megvalósításának finomítása. Külön fejezetek mélyülnek el olyan bonyolult témákban, mint az alagút FET, a negatív kapacitású FET eszközáramkörök és a különféle áramköri alkalmazásokhoz szabott fejlett FET-ek.
A könyv az eszközközpontú vitákon túlmenően kitér az alacsony fogyasztású memóriarendszerek tervezésének fortélyaira, a neuromorfikus számítástechnika lenyűgöző területére és a termikus megbízhatóság kulcsfontosságú kérdésére. A szerzők szilárd alapokat nyújtanak az eszközfizika és az áramkörök terén, miközben olyan újszerű anyagokat és architektúrákat is feltárnak, mint az úttörő csatornás/dielektromos anyagokra épülő tranzisztorok. Ezt a feltárást a minimális energiafogyasztás és az ultragyors kapcsolási sebesség elérésének igénye vezérli, megfelelve a félvezetőipar könyörtelen igényeinek. A könyv terjedelme olyan fogalmakat ölel fel, mint a MOSFET, FinFET, GAA MOSFET, az 5 nm-es és 7 nm-es technológiai csomópontok, NCFET, ferroelektromos anyagok, küszöb alatti lengés, nagy k-értékű anyagok, valamint a félvezetőipar jövője szempontjából kulcsfontosságú, fejlett és újonnan megjelenő anyagok.
© Book1 Group - minden jog fenntartva.
Az oldal tartalma sem részben, sem egészben nem másolható és nem használható fel a tulajdonos írásos engedélye nélkül.
Utolsó módosítás időpontja: 2024.11.13 21:05 (GMT)