Defect-Induced Magnetism in Oxide Semiconductors
A Defect Induced Magnetism in Oxide Semiconductors áttekintést nyújt a hibamérnökség legújabb eredményeiről, amelyek új mágneses anyagok létrehozására és új technológiai alkalmazások lehetővé tételére irányulnak.
A könyv először is bemutatja az oxid félvezetők mágnesességének mechanizmusait, viselkedését és elméletét, és áttekinti a mágnesesség előidézésének módszereit ezekben az anyagokban. Ezután olyan stratégiákat tárgyal, mint az impulzuslézeres lerakás és az RF porlasztás az indukált mágnesességgel rendelkező oxid nanoszerkezetű anyagok előállítására. Ezt követi az oxid félvezetőkben a mágnesesség előidézésének legfontosabb leválasztás utáni módszereinek áttekintése, beleértve a lágyítást, az ionbesugárzást és az ionimplantációt. Az oxid félvezetőkben előidézett hibaindukált mágnesességre példák és kiválasztott alkalmazások kerülnek bemutatásra.
A Defect Induced Magnetism in Oxide Semiconductors megfelelő referencia az anyagtudomány és a mérnöki tudományok területén dolgozó egyetemi kutatók és az ipari kutatás-fejlesztésben dolgozó gyakorlati szakemberek számára.