Miniaturized Silicon Photodetectors: New Perspectives and Applications
A szilícium (Si) technológiák kiváló platformot biztosítanak olyan mikrorendszerek tervezéséhez, amelyekben a fotonikai és mikroelektronikai funkciókat monolitikusan integrálják ugyanazon a hordozón. Az elmúlt években számos passzív és aktív Si-fotonikus eszközt fejlesztettek ki, és ezek közül a fotodetektorok különösen felkeltették a tudományos közösség érdeklődését.
A Si-fotodiódákat jellemzően látható hullámhosszon való működésre tervezték, de sajnos az infravörös (IR) tartományban való alkalmazásuk korlátozott az 1100 nm feletti elhanyagolható Si-abszorpció miatt, annak ellenére, hogy a Si-ra növesztett germánium (Ge) használata történelmileg lehetővé tette a működés kiterjesztését 1550 nm-ig. Az elmúlt években jelentős előrelépés történt mind a Si-alapú fotodetektorok teljesítményének javításával a látható tartományban, mind működésük infravörös hullámhosszakra való kiterjesztésével. A közeli infravörös (NIR) SiGe fotodetektorok esetében bebizonyosodott, hogy a CMOS-folyamat "nulla változású", míg az új hatások és struktúrák vizsgálata azt mutatta, hogy a teljesen Si alapú megközelítés életképes lehetőség lehet a Ge technológiával összehasonlítható eszközök létrehozására.
Ezenkívül az újonnan megjelenő 2D és 3D anyagok Si-ba történő integrálásának képessége, valamint a nanométeres méretű eszközök gyártásának lehetősége új, váratlan teljesítményű eszközcsaládok kifejlesztéséhez vezetett. Ennek megfelelően a Mikrogépek ezen különszámának célja, hogy bemutassa azokat a kutatási cikkeket, rövid közleményeket és áttekintő cikkeket, amelyek a szilícium-fotodetektorok és azok alkalmazásai terén elért legújabb eredményeket mutatják be.
© Book1 Group - minden jog fenntartva.
Az oldal tartalma sem részben, sem egészben nem másolható és nem használható fel a tulajdonos írásos engedélye nélkül.
Utolsó módosítás időpontja: 2024.11.13 21:05 (GMT)