Sugárzási hatások a szilíciumkarbidban

Eredeti címe:

Radiation Effects in Silicon Carbide

Könyv tartalma:

A könyv áttekinti a szerző véleménye szerint legérdekesebb publikációkat, amelyek a 6H-, 4H- és 3C-SiC-ben elektronokkal, neutronokkal és bizonyos ionokkal történő besugárzás során keletkező sugárhibákkal foglalkoznak. Az elején a SiC elektromos paramétereit tárgyalja, amelyek ezt az anyagot ígéretesnek teszik a modern elektronikában való alkalmazásra. A SiC kristályszerkezetének sajátos jellemzőit is megvizsgáljuk. Kimutatásra kerül, hogy a széles sávszélességű félvezetők vizsgálatakor figyelembe kell venni a hordozóeltávolítási sebesség (ηe) hőmérsékletfüggését, amely a félvezetők sugárzási keménységének meghatározására szolgáló szabványos paraméter. Különböző n- és p-típusú SiC-politípusok besugárzásával kapott ηe-értékeket elemezzük a besugárzó részecskék típusától és energiájától függően. Megvizsgáljuk az adott anyag kompenzációjának lehetséges fizikai mechanizmusait. Elemezzük a töltött részecskék energiájának hatását arra, hogy a besugárzás alatt a félvezetőkben hogyan alakulnak ki a sugárhibák és hogyan kompenzálódik a vezetőképesség.

Továbbá a szilíciumkarbid poliritípus ellenőrzött átalakításának lehetőségét is megvizsgálják. Elemzik a sugárhibák részvételét a SiC-ben lejátszódó sugárzási és nem sugárzási rekombinációs folyamatokban.

Adatokat mutatnak be egyes SiC elektronikai eszközök sugárzás hatására bekövetkező degradációjára vonatkozóan is, és következtetést vonnak le a SiC sugárzásállóságára vonatkozóan. Végül a szilícium és szilíciumkarbid alapú eszközök sugárzáskeménységét hasonlítják össze.