Széles sávszélességen alapuló eszközök: Tervezés, gyártás és alkalmazások

Eredeti címe:

Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications

Könyv tartalma:

Az újonnan megjelenő széles sávszélességű (WBG) félvezetők ugyanúgy képesek a globális ipar fejlődésére, mint ahogy több mint 50 évvel ezelőtt a szilícium (Si) chipek feltalálása lehetővé tette a modern számítógépes korszakot. A SiC- és GaN-alapú eszközök egyre inkább kezdenek kereskedelmi forgalomban elérhetővé válni.

Ezek a WBG-eszközök kisebbek, gyorsabbak és hatékonyabbak, mint a Si-alapú alkatrészek, és várhatóan nagyobb megbízhatóságot nyújtanak a nehezebb üzemi körülmények között is. Továbbá, ebben a keretben a mikroelektronikai minőségű félvezető anyagok egy új osztályát hozták létre, amelyek még nagyobb sávhézaggal rendelkeznek, mint a korábban létrehozott széles sávhézagú félvezetők, mint például a GaN és a SiC, és ezért "ultra széles sávhézagú" anyagoknak nevezik őket. Ezek az anyagok, amelyek közé tartozik az AlGaN, az AlN, a gyémánt, a Ga2O3 és a BN, elméletileg jobb tulajdonságokkal rendelkeznek, beleértve a nagyobb kritikus átbomlási mezőt, a magasabb hőmérsékleten való működést és a potenciálisan nagyobb sugárzástűrést.

Ezek a tulajdonságok viszont lehetővé teszik a szélsőséges környezetekben alkalmazható forradalmian új eszközök alkalmazását, például a jobb Baliga-értékszám miatt nagy hatásfokú teljesítménytranzisztorok, ultranagyfeszültségű impulzusos teljesítménykapcsolók, nagy hatásfokú UV-LED-ek és elektronikák. Ez a különszám olyan magas színvonalú kutatási cikkeket, rövid közleményeket és áttekintő cikkeket kíván összegyűjteni, amelyek a széles sávhatárú eszközök tervezésével, gyártásával és korszerű jellemzésével foglalkoznak.

A különszám a Franciaországban megrendezett 43. Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2019) válogatott tanulmányait is közzéteszi, amely a III-V és más vegyület félvezető eszközök és integrált áramkörök területén dolgozó tudósokat és mérnököket tömöríti.

Különösen a következő témákkal foglalkoznak: - GaN- és SiC-alapú eszközök teljesítmény- és optoelektronikai alkalmazásokhoz - Ga2O3 szubsztrátfejlesztés, valamint Ga2O3 vékonyréteg-növesztés, adalékolás és eszközök - AlN-alapú feltörekvő anyagok és eszközök - BN epitaxiális növekedés, jellemzés és eszközök.