Szilícium-Germánium Heterojunction Bipola

Olvasói vélemények

A könyv a félvezetőfizikát tanuló hallgatók számára ajánlott, és mélyrehatóan tárgyalja a SiGe HBT-ket, a zajt, a linearitást és az áramköri szintű témákat. Nem biztos azonban, hogy alkalmas az áramkörtervezők számára, akik a nemlinearitások elemzéséhez más megközelítéseket részesítenek előnyben.

A félvezetőfizika alapos lefedettsége, a SiGe HBT-kre vonatkozó mérvadó, részletes tárgyalást tartalmaz a zajról és a linearitásról, gyakorlati mérési technikákról, felsőfokú hallgatók és mérnökök számára alkalmas.

Nem alkalmas olyan áramköri tervezők számára, akik nem kedvelik a Volterra-sorozatot a nemlinearitások elemzésére, nem elég hosszú az átfogó lefedettséghez.

(2 olvasói vélemény alapján)

Eredeti címe:

Silicon-Germanium Heterojunction Bipola

Könyv tartalma:

Ez az erőforrás a mérnökök számára a szilícium-germánium heterojunction bipoláris tranzisztorok (SiGe HBT) átfogó kezelését nyújtja, egy olyan félvezető technológia, amely várhatóan forradalmasítja a kommunikációs iparágat, mivel alacsony költségű, nagysebességű megoldásokat kínál a felmerülő kommunikációs igények kielégítésére.

A könyv a gyakorlati szakemberek és a hallgatók számára a SiGe HBT-eszközök és -technológia alapos megértését kínálja, nagyon széles perspektívából. A szöveg kitér a motivációra, a történelemre, az anyagokra, a gyártásra, az eszközfizikára, a működési elvekre és a SiGe-hez kapcsolódó áramköri szintű tulajdonságokra.

Ez a referencia elmagyarázza, hogyan kell SiGe HBT-ket tervezni, szimulálni, gyártani és mérni, és megértést nyújt a SiGe HBT-k és az ezzel az új technológiával épített RF/mikrohullámú áramkörök optimalizálási kérdéseiről és tervezési kompromisszumairól.