Silicon-Germanium (Sige) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics
A nanoszerkezetű szilícium-germánium (SiGe) újszerű és fokozott elektronikus eszközök, különösen a félvezető eszközök számára nyitja meg az újszerű és fokozott teljesítményű elektronikus eszközök lehetőségeit. A Szilícium-germánium (SiGe) nanoszerkezetek című könyv áttekinti a nanoszerkezetek anyagtudományát, tulajdonságait és különböző elektronikus eszközökben való alkalmazását.
A bevezető első rész a SiGe nanoszerkezetek szerkezeti tulajdonságait tárgyalja, egy további fejezet pedig a SiGe ötvözetek elektronikus sávszerkezeteit tárgyalja. A második rész a SiGe nanoszerkezetek kialakítására összpontosít, a kristálynövesztés különböző módszereiről, például a molekulasugaras epitaxiáról és a kémiai gőzfázisú leválasztásról szóló fejezetekkel. Ez a rész tartalmaz továbbá a feszültségmérnökséggel és a modellezéssel foglalkozó fejezeteket is. A harmadik rész a SiGe nanoszerkezetek anyagi tulajdonságaival foglalkozik, olyan témákat tárgyaló fejezetekkel, mint az alakváltozás okozta hibák, a transzporttulajdonságok, a mikroüregek és a kvantumkaszkád lézerstruktúrák. A negyedik rész a SiGe ötvözeteket alkalmazó eszközöket tárgyalja. A fejezetek az ultranagyméretű integrált alkalmazásokat, a MOSFET-eket, valamint a SiGe különböző típusú tranzisztorokban és optikai eszközökben való felhasználását tárgyalják.
A Szilícium-germánium (SiGe) nanoszerkezetek című könyv kiváló szerkesztőinek és nemzetközi szerzőkből álló csapatának köszönhetően a félvezető eszközökkel és anyagokkal foglalkozó ipari és tudományos kutatók, különösen a nanoszerkezetek iránt érdeklődők számára standard referenciaként szolgál.
⬤ Áttekinti a nanoszerkezetek anyagtudományát, tulajdonságait és alkalmazásait a különböző elektronikus eszközökben.
⬤ Mérlegeli a SiGe nanostruktúrák szerkezeti tulajdonságait, tárgyalja a SiGe ötvözetek elektronikus sávszerkezeteit.
⬤ Feltárja a SiGe nanoszerkezetek kialakítását a kristálynövekedés különböző módszereinek, például a molekulasugaras epitaxiának és a kémiai gőzfázisú leválasztásnak a segítségével.