Silicon Carbide: Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
A szilíciumkarbid (SiC) és annak polytípusai, amelyeket elsősorban csiszolásra és magas hőmérsékletű kerámiákhoz használnak, már régóta az emberi civilizáció részei. A SiC-eszközök eredendő képessége, hogy magas hőmérsékleten és nagyfeszültség alatt nagyobb hatásfokkal és kisebb környezeti terheléssel működnek, mint a szilíciumalapú eszközök, a SiC-t a nagy teljesítményű elektronika és optoelektronika választott anyagává teszi.
Ami még ennél is fontosabb, a SiC a graféngyártás sablonjává és a 32 nm alatti félvezető eszközök következő generációjának anyagává válik. Így egyre világosabbá válik, hogy a SiC elektronikai rendszerek fogják uralni a 21. század új energia- és közlekedési technológiáit.
A könyv 21 fejezetében különös hangsúlyt kapnak az anyagokkal kapcsolatos szempontok és azok fejlesztései. Ennek érdekében a könyv mintegy 70%-a foglalkozik a SiC-hez kapcsolódó elmélettel, kristálynövekedéssel, hibákkal, felületi és határfelületi tulajdonságokkal, jellemzéssel és feldolgozási kérdésekkel.
A könyv fennmaradó 30%-a ennek az anyagnak az elektronikus eszközbeli vonatkozásaival foglalkozik. Összességében ez a könyv még néhány évig értékes referenciaként szolgál majd a SiC-kutatók számára.
Ez a könyv tekintélyesen lefedi a SiC-ről, mint az elektronikában használt félvezető anyagról alkotott jelenlegi ismereteinket. A könyv elsődleges célcsoportja a hallgatók, kutatók, anyag- és vegyészmérnökök, félvezetőgyártók és a szilíciumkarbid és annak folyamatos fejlődése iránt érdeklődő szakemberek.