Értékelés:
Jelenleg nincsenek olvasói vélemények. Az értékelés 2 olvasói szavazat alapján történt.
Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status
Mióta Cho és Arthur az 1960-as évek végén először használt sikeresen egy molekulasugaras készüléket GaAs epilétrák kristályosítására és vizsgálatára, a részecskesugarakkal végzett nagyvákuumos epitaxiális növekedési technikák gyorsan fejlődtek. Ez a fejlődés felgyorsult, amikor az 1970-es években feltalálták a különböző kvantumkút-szerkezetű félvezető eszközöket.
E struktúrák fontos alkalmazása olyan eszközökben, mint a kvantumkút-lézerek, a nagy elektronmozgékonyságú transzisztorok vagy a szuperrácsos lavinafotodiódák, további lendületet adott a kutatómunkának és a gyártási célok növelésének. Ezzel a fejlődéssel párhuzamosan az e növekedési technikákkal kapcsolatos problémáknak szentelt eredeti kutatási cikkek és áttekintések száma is gyorsan nőtt, ráadásul nagyon széttagoltak is lettek. Jelenleg évente több száz eredeti cikk jelenik meg a szakirodalomban e témában.
Ezzel szemben azonban hiányoznak az átfogó monográfiák, amelyek a félvezető filmek atom- és molekuláris sugárral történő epitaxiális növesztésével kapcsolatos problémák teljes sokféleségét felölelik. Ez a könyv, amely a molekulasugaras epitaktika (MBE) jelenlegi állásának áttekintését mutatja be a félvezető filmek és többrétegű szerkezetek növesztésére alkalmazva, kényelmes általános útmutatóként szolgálhat az olvasó számára az e kristályosítási technikával kapcsolatos témákról.".
