New Memory Paradigms: Memristive Phenomena and Neuromorphic Applications: Faraday Discussion 213
Atomi méretű „intelligens” eszközök, mesterséges intelligencia, neuromorfikus funkciók, alternatív logikai műveletek és számítások, új memóriatárolási paradigmák, ultragyors/biológiai ihletésű/hajlékony/átlátszó/energiatakarékos nanoelektronika - ezek a kortárs koncepciók a tudomány és a technológia progresszív fejlődésének hajtóerejét jelentik, tükrözve a társadalmi elvárásokat és megoldva annak problémáit. A memristor (memória ) ellenállás) koncepciója által inspirált, redox-alapú, ellenállásos kapcsolású véletlen hozzáférésű memóriák (ReRAM) és fázisváltó memóriák (PCM) mindezekre a műveletekre és funkciókra alkalmasnak gondolhatók. Ezen túlmenően a kutatók célja, hogy ezeket a memrisztoros rendszereket a biológiai rendszerek funkcionalitásán alapulva az élet alapvető tulajdonságainak, köztük a rendnek, a plaszticitásnak, az ingerekre adott válasznak, az anyagcserének, a homeosztázisnak, a növekedésnek és az öröklődésnek vagy a szaporodásnak a lehetővé tételére használják.
Az ipari és tudományos szakembereket tömörítő kötet az alapokkal, valamint a konkrét igényekkel és korlátokkal foglalkozik, például az anyagok kiválasztása, a feldolgozás, a megfelelő modellrendszerek, a műszaki követelmények és a lehetséges eszközalkalmazások terén, hidat képezve a terminológiák, elméletek, modellek és alkalmazások között.
A kötetben tárgyalt témák a következők:
Elektrokémiai fémezés ReRAM-ok (ECM)
Valenciaváltozó ReRAM-ok (VCM)
Fázisváltó memóriák (PCM)
Szinaptikus és neuromorfikus funkciók.
