A teljesítmény félvezető eszközök alapjai

Értékelés:   (4.2 az 5-ből)

A teljesítmény félvezető eszközök alapjai (Jayant Baliga B.)

Olvasói vélemények

Összegzés:

A teljesítmény félvezető eszközökről szóló könyv, különösen az IGBT-kre összpontosítva, nagyra értékelt a mélyreható ismeretek és a gyakorlati alkalmazás miatt. A terület szakemberei és hallgatói számára érdemes referenciaszövegnek számít, bár a kezdők számára és bizonyos formátumokban nem mentes a kihívásoktól.

Előnyök:

Az IGBT-k és a teljesítmény félvezető eszközök kiváló lefedettsége.
A kulcsfogalmak ismételt bevezetését tartalmazza, ami segíti a témák közötti megértést.
A gyakorlatias illusztrációk és ábrák hasznosak a szakemberek számára.
Átfogó és frissített a korábbi kiadásokhoz képest.
Hasznos fejezet végi kérdéseket tartalmaz a tanításhoz.

Hátrányok:

Az ismétlődő fogalmak miatt nehézkes lehet a szöveg olvasása.
Nem ideális kezdőknek vagy önálló tankönyvként a félvezetőfizika alapjainak elsajátításához.
A Kindle változatban a homályos képek és képletek akadályozhatják a megértést.
Néhány felhasználó szerint nehézkes a tanuláshoz, ha valaki útmutatás nélkül, a nulláról tanul.

(13 olvasói vélemény alapján)

Eredeti címe:

Fundamentals of Power Semiconductor Devices

Könyv tartalma:

A teljesítmény félvezető eszközök alapjai a teljesítményelektronikai iparban általánosan használt teljesítmény félvezető eszközök működésének fizikájával foglalkozik behatóan.

Az összes teljesítmény félvezető eszköz működésének magyarázatára analitikus modelleket mutat be. A feldolgozás a szilíciumeszközökre összpontosít, és kitér a feltörekvő szilícium-karbid eszközök egyedi tulajdonságaira és tervezési követelményeire is.

A könyv egyéb adatai:

ISBN:9781489977656
Szerző:
Kiadó:
Nyelv:angol
Kötés:Puha kötés

Vásárlás:

Jelenleg kapható, készleten van.

A szerző további könyvei:

A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai a...
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power...
Az elmúlt 30 év során jelentős előrelépés történt...
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The...
Az IGBT készülék: Az IGBT: A szigetelt kapus...
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
A teljesítmény félvezető eszközöket széles körben használják az...
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások -...
Széles sávszélességű félvezető tápegységek: A...
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
A szilícium-karbid teljesítmény-eszközöket egyre...
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts
Az elmúlt évtizedben számos új koncepciót javasoltak a teljesítmény-MOSFET-ek...
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts

A szerző munkáit az alábbi kiadók adták ki: