Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók

Értékelés:   (4.3 az 5-ből)

Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók (Jayant Baliga B.)

Olvasói vélemények

Jelenleg nincsenek olvasói vélemények. Az értékelés 4 olvasói szavazat alapján történt.

Eredeti címe:

Advanced Power Mosfet Concepts

Könyv tartalma:

Az elmúlt évtizedben számos új koncepciót javasoltak a teljesítmény-MOSFET-ek teljesítményének javítására.

E kutatások eredményei szétszóródtak a szakirodalomban folyóiratcikkek és konferenciák kivonatai között. Következésképpen az információk nem könnyen hozzáférhetőek a teljesítmény-eszközökkel foglalkozó kutatók és gyakorló mérnökök számára.

Az elképzeléseknek nincs olyan összefüggő feldolgozása, amely lehetővé tenné az elképzelések relatív érdemeinek értékelését. A Advanced Power MOSFET Concepts a fejlett teljesítmény MOSFET-ek működésének fizikájával foglalkozik behatóan. Analitikus modellek kerülnek kidolgozásra az összes fejlett teljesítmény-MOSFET működésének magyarázatára.

A numerikus szimulációk eredményei további betekintést nyújtanak az eszköz fizikájába és validálják az analitikus modelleket. A kétdimenziós szimulációk eredményei alátámasztják az analitikus modelleket, és nagyobb betekintést nyújtanak az eszköz működésébe.

A könyv egyéb adatai:

ISBN:9781441959164
Szerző:
Kiadó:
Nyelv:angol
Kötés:Keményfedeles

Vásárlás:

Jelenleg kapható, készleten van.

A szerző további könyvei:

A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai a...
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power...
Az elmúlt 30 év során jelentős előrelépés történt...
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The...
Az IGBT készülék: Az IGBT: A szigetelt kapus...
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
A teljesítmény félvezető eszközöket széles körben használják az...
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások -...
Széles sávszélességű félvezető tápegységek: A...
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
A szilícium-karbid teljesítmény-eszközöket egyre...
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts
Az elmúlt évtizedben számos új koncepciót javasoltak a teljesítmény-MOSFET-ek...
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts

A szerző munkáit az alábbi kiadók adták ki: