Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök

Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök (Jayant Baliga B.)

Eredeti címe:

Modern Silicon Carbide Power Devices

Könyv tartalma:

A szilícium-karbid teljesítmény-eszközöket egyre gyakrabban alkalmazzák számos alkalmazásban, például elektromos járművekben és töltőállomásokon.

Nagy szükség van egy olyan erőforrásra, amely megismeri és megérti ezen eszközök működésének alapvető fizikai alapjait, hogy mélyreható ismeretekkel rendelkező mérnököket hozzon létre róluk. Ez az egyedülálló kompendium átfogó tervezési útmutatót nyújt a szilícium-karbid teljesítményű eszközökhöz.

Szisztematikusan ismerteti az eszközszerkezeteket és a jellemzőik kiszámítására szolgáló analitikus modelleket. A benne szereplő eszközszerkezetek a Schottky-dióda, a JBS-egyenirányító, a teljesítmény-MOSFET, a JBSFET, az IGBT és a BiDFET. Hangsúlyt kapnak a kiváló feszültségblokkolás és bekapcsolási ellenállás elérésével foglalkozó egyedi struktúrák.

Ez a hasznos tankönyv és referencia újítások a kiváló nagyfrekvenciás működés eléréséhez, és kiemeli az eszközök gyártástechnológiáját. A könyv hasznára válik a szakembereknek, egyetemi oktatóknak, kutatóknak és végzős hallgatóknak az elektrotechnika és elektronika, az áramkörök és rendszerek, a félvezetők és az energiatudomány területén.

A könyv egyéb adatai:

ISBN:9789811284274
Szerző:
Kiadó:
Nyelv:angol
Kötés:Keményfedeles
A kiadás éve:2023
Oldalak száma:672

Vásárlás:

Jelenleg kapható, készleten van.

A szerző további könyvei:

A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai a...
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power...
Az elmúlt 30 év során jelentős előrelépés történt...
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The...
Az IGBT készülék: Az IGBT: A szigetelt kapus...
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
A teljesítmény félvezető eszközöket széles körben használják az...
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások -...
Széles sávszélességű félvezető tápegységek: A...
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
A szilícium-karbid teljesítmény-eszközöket egyre...
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts
Az elmúlt évtizedben számos új koncepciót javasoltak a teljesítmény-MOSFET-ek...
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts

A szerző munkáit az alábbi kiadók adták ki: