Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök

Értékelés:   (3.8 az 5-ből)

Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök (Jayant Baliga B.)

Olvasói vélemények

Jelenleg nincsenek olvasói vélemények. Az értékelés 9 olvasói szavazat alapján történt.

Eredeti címe:

Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices

Könyv tartalma:

Az elmúlt 30 év során jelentős előrelépés történt a gallium-nitrid és szilícium-karbid eszközszerkezetek jobb megértése terén, ami a teljesítményelektronikai rendszerekben való fokozott teljesítményük kísérleti demonstrációját eredményezte.

Az anyag szilícium szubsztráton történő növesztésével készült gallium-nitrid teljesítményű eszközök nagy érdeklődésre tartottak számot. Az elmúlt öt év során számos cégtől váltak elérhetővé az ilyen anyagokból készült tápegységek.

Ez az átfogó könyv a gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítményeszközök működésének és tervezésének fizikáját tárgyalja. Referenciaként használható a teljesítményelektronikai iparban dolgozó gyakorló mérnökök számára, valamint tankönyvként az egyetemeken a teljesítményeszközök vagy a teljesítményelektronika tantárgyakhoz.

A könyv egyéb adatai:

ISBN:9789813109407
Szerző:
Kiadó:
Nyelv:angol
Kötés:Keményfedeles
A kiadás éve:2017
Oldalak száma:592

Vásárlás:

Jelenleg kapható, készleten van.

A szerző további könyvei:

A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai a...
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power...
Az elmúlt 30 év során jelentős előrelépés történt...
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The...
Az IGBT készülék: Az IGBT: A szigetelt kapus...
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
A teljesítmény félvezető eszközöket széles körben használják az...
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások -...
Széles sávszélességű félvezető tápegységek: A...
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
A szilícium-karbid teljesítmény-eszközöket egyre...
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts
Az elmúlt évtizedben számos új koncepciót javasoltak a teljesítmény-MOSFET-ek...
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts

A szerző munkáit az alábbi kiadók adták ki: