Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai

Értékelés:   (5.0 az 5-ből)

Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai (Jayant Baliga B.)

Olvasói vélemények

Jelenleg nincsenek olvasói vélemények. Az értékelés 2 olvasói szavazat alapján történt.

Eredeti címe:

The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor

Könyv tartalma:

Az IGBT készülék: Az IGBT: A szigetelt kapus bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazása, második kiadás: Az alkalmazásmérnökök számára alapvető fontosságú információkat nyújt az eszközzel működő új termékek tervezéséhez, többek között a fogyasztói, ipari, világítási, közlekedési, orvosi és megújuló energiaforrások területén.

Az IGBT eszköz rendkívül fontos teljesítmény-félvezetőnek bizonyult, amely a szabályozható fordulatszámú motorhajtások (amelyeket a légkondicionáló és hűtőberendezésekben, valamint a vasúti mozdonyokban használnak), a benzinüzemű gépjárművek elektronikus gyújtórendszerei és az energiatakarékos kompakt fénycsövek alapját képezi. A könyv bemutatja a plazmakijelzők (síkképernyős televíziók) és az elektromos energiaátviteli rendszerek, az alternatív energiarendszerek és az energiatárolás legújabb alkalmazásait, de valamennyi megújuló energiatermelő rendszerben is alkalmazzák, beleértve a nap- és szélenergiát is.

Ez a könyv az első elérhető könyv az IGBT alkalmazásairól. A műszaki alkalmazások új generációja számára nyitja meg az IGBT-t, így a villamosmérnökök és tervezőmérnökök széles közönsége számára nélkülözhetetlen olvasmány, valamint a félvezető-szakértők számára fontos kiadvány.

A könyv egyéb adatai:

ISBN:9780323999120
Szerző:
Kiadó:
Nyelv:angol
Kötés:Keményfedeles
A kiadás éve:2022
Oldalak száma:800

Vásárlás:

Jelenleg kapható, készleten van.

A szerző további könyvei:

A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai a...
A teljesítmény félvezető eszközök alapjai - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power...
Az elmúlt 30 év során jelentős előrelépés történt...
Gallium-nitrid és szilícium-karbid teljesítmény-eszközök - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The...
Az IGBT készülék: Az IGBT: A szigetelt kapus...
Az IGBT-készülék: A szigetelt kapusú bipoláris tranzisztor fizikája, tervezése és alkalmazásai - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
A teljesítmény félvezető eszközöket széles körben használják az...
Szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Silicon Carbide Power Devices
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások -...
Széles sávszélességű félvezető tápegységek: A...
Széles sávszélességű félvezető teljesítményeszközök: Anyagok, fizika, tervezés és alkalmazások - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
A szilícium-karbid teljesítmény-eszközöket egyre...
Modern szilícium-karbid teljesítményű eszközök - Modern Silicon Carbide Power Devices
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts
Az elmúlt évtizedben számos új koncepciót javasoltak a teljesítmény-MOSFET-ek...
Fejlett teljesítmény-mosfet koncepciók - Advanced Power Mosfet Concepts

A szerző munkáit az alábbi kiadók adták ki: